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      立超消息

      ARM与中芯国内针对挪动与花费应用扩大28纳米制程工艺IP合作

      发表于>2019-08-03     来源:本站     浏览次数: 25617

      ARM与中国边境规模最大、技能最先辈的集成电路晶圆代工企业中芯国内近日共同宣布,双目标对ARM® Artisan® 物理IP签署合作协定,为中芯国内的28纳米poly SiON(PS)制程工艺供给高机能、高密度、低功耗的体系级芯片(SoC)计划支撑。

      基于这项合作,中芯国内与ARM将为宽大的花费应用供给全面的物理IP平台与先辈制程工艺技能。这些应用均针对疾速发展的智能手机、平板电脑、无线设备、和智能家居等市场。

      中芯国内计划效劳中央资深副总裁汤天申博士表示:“咱咱们对付可以或许支撑ARM Artisan模范单位与新一代内存编译器,觉得十分高兴。这次与ARM的进一步合作将有助于咱咱们的客户在本钱与功耗上实现更优良的SoC计划。”

      ARM履行副总裁兼物理计划部分总司理Dipesh Patel博士表示:“ARM Artisan模范单位与内存编译器可为客户供给高品德与相符硅模范的计划产品,完全满意客户在缩短上市光阴的请求。颠末过程与中芯国内加深在28纳米 PS工艺上的合作,ARM再次践行了咱咱们的一贯许诺—与业界抢先的晶圆代工企业强强联手,为客户供给最佳的SoC计划实现。”

      ARM物理IP平台

      针对中芯国内28纳米poly SiON(PS)制程工艺的ARM Artisan物理IP平台,为实现普遍的机能规模及颠末面积优化的低功耗SoC计划供给了根底构件。同时,ARM颠末硅验证的IP平台供给了全面的整套内存编译器、模范单位与逻辑IP和通用型的接口产品,以应对大部分挪动通讯与计算对机能与功耗的需要。

      颠末过程ARM模范单位库及内存编译器,共同多沟道及混合阈值电压(Vt)特性,用户不只可以或许利用到中芯国内poly SiON尖端制程工艺的机能与功耗规模,还将获得更普遍的机能与功率谱。这些特性确保了在看重机能的SoC计划的同时,也能满意功耗需要。

      

      苏公网安备 32011302320318号